一种太阳能电池芯片的制作方法

公开号：101154694 

发明人：陆泉鸣;郑国富

地  址：200126上海市浦东洪山路501弄景华园26号

    本发明涉及一种太阳能电池芯片的制作方法，其方法为：将报废的太阳能电池片按一定规格切割成片，用酒精清洗电池片粘接部位，用粘接剂涂于电池片粘接部分，将涂锡焊带与粘接剂进行粘接，将粘接好的电池片放入烘箱，烘箱温度调节至80-120℃，45-90分钟后，关闭烘箱，并在烘箱内冷却1-1.5小时；从烘箱内取出，再于100℃-200℃加热2-4小时即可固化，最后检测电池片的电池能参数。本发明的优点是提高了报废太阳能电池片的利用率和生产合格率。